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热压过程中Ti3SiC2陶瓷的合成机理研究
袁蝴蝶
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作者单位：西安建筑科技大学
中文关键字：烧结温度；Ti3SiC2；合成机理
英文关键字：
中文摘要：以Ti、Si、C粉为原料，采用热压烧结法，在烧结温度为1000～1600℃下合成Ti3SiC2材料。采用XRD来分析热压产物的物相组成，用SEM和EDS来观察试样的显微结构，在此基础上讨论Ti3SiC2陶瓷的合成机理。
英文摘要：
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